@MASTERSTHESIS{ 2010:1451570400,
 	title = {An?lise de transistores de efeito de campo para microondas controlados por feixe ?ptico},
 	year = {2010},
 	url = "http://tede.inatel.br:8080/tede/handle/tede/124",
 	abstract = "T?m-se observado investimentos significativos em pesquisas sobre circuitos fot?nicos
 integrados. Em sua fabrica??o, s?o utilizados materiais semicondutores, dentre eles est?
 o arsenieto de g?lio (GaAs) e outras composi??es a partir dele, como o arsenieto de g?lio
 e alum?nio (GaAlAs) e outros. Este composto, associado a um eletrodo met?lico, forma
 uma jun??o do tipo Schottky e ? empregado para constituir um transistor de efeito de campo
 de porta met?lica isolada (GaAs MESFET). O comportamento deste dispositivo sob a
 incid?ncia de feixe ?ptico modulado ser? discutido neste trabalho.
 An?lises computacionais, concebidas por meio da ferramenta MATLAB?, permitir?o
 verificar a influ?ncia do feixe ?ptico sobre os par?metros internos do dispositivo, como
 as capacit?ncias entre dreno e fonte, entre porta e fonte, a capacit?ncia distribu?da no canal,
 a transcondut?ncia e outros elementos envolvidos em seu desempenho. A partir deles, ser?o
 calculadas as express?es dos fatores que comp?em a matriz admit?ncia (Y), da qual
 ser?o obtidas as equa??es para o ganho de tens?o e a imped?ncia de entrada, fatores importantes
 na aplica??o como elemento de fotodetec??o. Todos estes elementos ser?o determinados
 em fun??o da densidade de pot?ncia ?ptica incidente, modulada com elevadas taxas
 de transmiss?o. Para esta an?lise, levam-se em conta os efeitos fotovoltaico e fotocondutivo
 no comportamento do GaAs MESFET. Inicialmente, as observa??es tiveram como
 marco as conclus?es que t?m sido publicadas desde o maior crescimento dos sistemas de
 comunica??es ?pticas.",
 	publisher = {Instituto Nacional de Telecomunica??es},
 	scholl = {Mestrado em Engenharia de Telecomunica??es},
 	note = {Instituto Nacional de Telecomunica??es}
}